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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 640000mW 19Pin41851+￥1940.298810+￥1922.659725+￥1913.840250+￥1905.0206100+￥1896.2011150+￥1887.3816250+￥1878.5620500+￥1869.7425 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 24Pin76121+￥1216.505410+￥1205.446325+￥1199.916750+￥1194.3871100+￥1188.8576150+￥1183.3280250+￥1177.7984500+￥1172.2688 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 80A 24Pin88191+￥971.903610+￥937.801750+￥933.5390100+￥929.2762150+￥922.4559250+￥916.4880500+￥910.52021000+￥903.6998 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。4350
